一、重点实验室的主要研究方向
1. 高质量半导体光电材料
（GaN等III族氮化物半导体材料、GaAs等III-V族化合物半导体材料外延生长与测试表征）
2. 高能效红绿蓝微纳光电器件
（GaN基、GaAs基化合物半导体光电器件制备，以及器件结温与热阻测试表征和散热研究）
3. 半导体显示多维度调制器件
（数字微镜器件DMD、MEMS微振镜、超表面光场调控、微纳光栅、光波导、驱动调制器件）
4. 高性能半导体显示集成芯片
（激光显示、Micro-LED大屏显示及XR微显示、全息显示、透明/柔性显示等新型显示驱动芯片及其集成微系统）
二、招聘研究岗位
招聘岗位的研究方向：
III族氮化物半导体外延材料生长及表征
Micro-LED器件制备
半导体（边发射、面发射）激光器制备
半导体光电器件的热管理
半导体激光器可靠性及失效分析
超表面与微纳光栅
AR光波导
微纳光学仿真
半导体显示驱动与集成技术
AI与半导体显示融合
岗位1：副高及以上人才8-10人
根据研究所“高层次人才招聘启事”，招聘电子信息领域的高层次研究人员，具体各级人才政策详见研究所“高层次人才招聘启事”（请点击链接查看）。
1．岗位要求：
1) 理学或工学博士毕业，具有电子信息、物理、光学、材料等相关专业背景；
2) 在国内外著名高校、研究机构有2年及以上的工作经历，有主持科研项目经验者优先；
3) 负责围绕重点实验室主攻方向开展有组织的基础研究，组织推进科研项目实施，并做出重要成果；
4) 具有独立承担科研工作的能力，具有较好的英文阅读、写作能力，在本领域知名国际刊物上发表过学术论文；
5) 具有较好的学习能力和团队合作精神，具有较强的沟通协调和组织能力。
岗位2：博士后（特别研究助理）人才10-15名
1．岗位要求：
1) 申请人获得博士学位3年以内，具有电子信息、物理、光学、材料等相关专业背景，年龄一般不超过35周岁；
2) 能够围绕重点实验室主攻方向开展有组织的基础研究，能够独立从事相关科研实验；
3) 具有良好的英文阅读、写作能力；
4) 具有良好的学术道德，严谨的科研作风和科学、求实、团结、协作的精神。
2．固定薪酬：
博士后在站期间，固定薪酬28万起，特别优秀者固定薪酬58万起，另加奖励绩效。
3．可争取的个人补贴：
1) 入选江苏省卓越博士后计划，可获得50万元/30万元/20万元人才津贴。
2) 入选博新计划，可获得32万元生活补贴。
3) 入选中国科学院特别研究助理资助项目或研究所“优秀博士后计划”，可获得12万元人才津贴。
4) 获得中国博士后科学基金面上资助和特别资助（项目经费8-18万元），分别给予2万元、5万元补贴。
4．待遇福利：
在站期间可参加副高级岗位晋升，通过评审可聘为副高级岗位（入编）；可申请各类科研项目；可获得公派出国深造的机会；同时享有人才优购（公积金贷款2-3倍）、协助子女入学等待遇；出站留苏30万元安家补贴。
三、招聘支撑岗位
岗位1：化合物半导体材料外延生长与测试表征工程师1-2名
岗位2：Micro-LED光电测试表征工程师1-2名
岗位3：半导体激光器结温与热阻测试表征工程师1-2名
岗位4：半导体激光器寿命测试与失效分析工程师1-2名
1．岗位要求：
1) 具有硕士学历，或者具有本科学历及4年以上半导体相关领域的工作经历；年龄一般不超过35周岁；
2) 具有半导体相关领域的研究或技术经验，和相应岗位所需的技术能力；
3) 具有较强的团队合作意识、责任心和独立开展工作的能力；
4) 具有扎实的专业基础知识和实验技能，良好的英语读写能力；
5) 动手能力强，认真细心，踏实肯干，善于沟通。
2．薪酬待遇：
1) 薪资：中国科学院苏州纳米所为国家级事业单位，根据岗位职级提供有竞争力的薪酬待遇（工资+绩效奖励）。
2) 福利：享受五险一金（含公积金）、午餐补贴、工会福利、职工体检等。
四、应聘方式
请应聘者将个人简历及相关证明材料通过邮件，以“重点实验室+岗位+姓名”为主题发送至邮箱：xren2011@sinano.ac.cn。我们将以邮件或电话的方式通知通过初选的应聘者参加线上面试和现场面试。联系人：任老师，联系电话：0512-62872758。
【本招聘信息长期有效】。
